规格书 |
FDP(F)8N50NZ(T) |
文档 |
Wafer Fabrication 04/Feb/2013 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 50 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 500V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 8A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 850 mOhm @ 4A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 5V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 18nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 735pF @ 25V |
功率 - 最大 | 139W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-3 Formed Leads |
供应商器件封装 | TO-220-3 |
包装材料 | Tube |
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